STE3N3

Установка МПЭ для выращивания нитридов металлов III группы

Областью применения установки молекулярно-пучковой эпитаксии STE3N3 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных структур.

Конструкция установки STE3N3 допускает возможность вакуумно плотной стыковки с другими вакуумными камерами и установками (например, металлизации, анализа и иной обработки) в том числе объединения в комплекс НАНОФАБ.

Установка молекулярно-пучковой эпитаксии STE3N3 предназначена для эпитаксии полупроводниковых гетероструктур на основе нитридов III-ей группы и сконфигурирована для выращивания материалов системы InAlGaN/GaN с использованием аммиака в качестве источника активного азота.